NT5TU32M16CG-25ddr芯片价格实惠

NT5TU32M16CG-25ddr芯片价格实惠主图

NT5TU32M16CG-25ddr芯片价格实惠参数

制造商IC编号NT5TU32M16CG-25

厂牌NANYA/南亞

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

UNKNOWN/未定义

NT5TU32M16CG-25ddr芯片价格实惠相关信息

随着近来人工智能（AI），机器学习，高性能计算，图形和网络应用的快速增长和广泛扩展，对存储器的需求比以往任何时候增长得都快。然而，传统的主存储器DRAM已不足以满足此类系统要求。另一方面，数据中心中的服务器应用程序对存储器提供更高容量的需求。传统上，通过增加每个插槽的存储通道数量并采用更高密度的DRAM双列直插式内存模块（DIMM）来扩展内存子系统的容量。但是，即使使用最先进的16Gb DDR4 DRAM，系统内存容量需求对于某些应用程序（例如内存数据库）也可能变得不足。

存储器中的直通硅（TSV）已经成为一种用于容量扩展和带宽扩展的有效基础技术。这是一种在整个硅晶圆厚度上打孔的技术，目的是在芯片的正面到背面形成数千个垂直互连，反之亦然。在早期，TSV仅被视为一种封装技术，只是替代了引线键合。但是，多年来，它已成为扩展DRAM性能和密度必不可少的工具。如今，DRAM行业有两个主要用例，已经成功生产了TSV，以克服容量和带宽扩展限制。它们是3D-TSV DRAM和高带宽存储器（HBM）。

除具有线焊管芯堆叠的传统双芯片封装（DDP）外，诸如128和256GB DIMM（具有2High和4High X4 DRAM的基于16Gb的2rank DIMM）之类的高密度存储器也正在采用3D-TSV DRAM。在3D-TSV DRAM中，2或4个DRAM裸片彼此堆叠，其中只有最底部的裸片从外部连接到存储控制器。其余管芯通过内部提供输入/输出（I / O）负载隔离的许多TSV互连。与DDP结构相比，这种结构通过I / O负载的去耦实现了更高的引脚速度，并通过消除了堆叠芯片上不必要的电路组件重复而降低了功耗。