MT48LC32M16A2P-75IT:C芯片库存特价让利

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MT48LC32M16A2P-75IT:C芯片库存特价让利参数

制造商IC编号MT48LC32M16A2P-75IT:C

厂牌MICRON/美光

IC 类别SDRAM

IC代码32MX16 SD

脚位/封装TSOP2(54)

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)3.3 V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量540

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

MT48LC32M16A2P-75IT:C芯片库存特价让利相关信息

FRAM铁电存储器工作原理

FeRAM使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，使得它也拥有非挥发性内存的功能。它以铁电物质为原材料，将微小的铁电晶体集成进电容内，通过施加电场

，铁电晶体的电极在两个稳定的状态之间转换，实现数据的写入与读取。每个方向都是稳定的，即使在电场撤除后仍然保持不变，因此能将数据保存在存储扇区而无

需定期更新。FeRAM的写入次数可以高达1014次和10年的数据保存能力。在重写某个存储单元之前，FeRAM不必擦拭整个扇区，因此数据读写速度也略胜一筹。此外，

FeRAM的低工作电压能够降低功耗，这对移动设备来讲是很重要的。

下面的图表解释了PZT晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定，即使在出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的形式存储。

PZT晶体结构和FRAM工作原理（图片来源富士通）

当加置电场时就会产生极化。（锆/钛离子在晶体中向上或向下移动）

即使在不加置电场的情况下，也能保持电极。

两个稳定的状态以“0”或“1”的形式存储。

FRAM的优点总结

与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：

非易失性

即使没有上电，也可以保存所存储的信息。

与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）

更高速度写入

像SRAM一样，可覆盖写入

不要求改写命令

对于擦/写操作，无等待时间

写入循环时间 =读取循环时间

写入时间： E2PROM的1/30,000

具有更高的读写耐久性

确保最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力

耐久性：超过100万次的 E2PROM

具有更低的功耗

不要求采用充电泵电路

功耗：低于1/400的E2PROM