MT47H64M8CF-3IT:F存储ic芯片

MT47H64M8CF-3IT:F存储ic芯片主图

MT47H64M8CF-3IT:F存储ic芯片参数

制造商IC编号MT47H64M8CF-3IT:F

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码64MX8 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT47H64M8CF-3IT:F存储ic芯片相关信息

上周五，Intel发表了Q3季度财报，营收持平但盈利下滑了6%。对Intel来说，最大的挑战还是他们的芯片工艺，在这次财报会议，Intel CEO司睿博也谈到了工艺进展，10nm工艺开始量产，并首次谈到5nm工艺进展良好。

对于10nm工艺，Intel表示他们在美国本土俄勒冈州及以色列的晶圆厂已经开始量产10nm工艺，亚利桑那州的晶圆厂很快也会跟进。

面向移动市场的IceLake-U处理器6月份开始出货，今年已经有50多个客户产品，其中30多个已经开始出货。

除了10nm笔记本处理器之外，10nm工艺还会有FPGA产品AGILEX，今年Q3季度已经开始出货。

再往后就是明年的AI加速芯片Spring Hill、5G基站芯片Snow Ridge及服务器芯片IceLake-SP，它们会在明年陆续出货。

值得注意的是，Intel还首次提到了10nm工艺的独显，首发的是GPU DG1，也就是Gen12 LP架构的，后者也会用于10nm Tiger Lake处理器，传闻性能是GTX 1050级别的。

虽然10nm工艺延迟多年，但是今年开始步入正轨，司睿博也表示Intel“10nm工艺时代正式开始了。”

在10nm之后，Intel会在2021年推出7nm工艺，这是Intel首个应用EUV光刻技术的工艺，首发产品是数据中心GPU，不过目前没有具体详情，Intel只是重申了进度。

7nm工艺对Intel也非常重要，因为这代工艺吸取了10nm工艺指标定的太高的教训，从这一代开始Intel将恢复正常的工艺升级间隔，大约是2-2.5年升级一代，跟以往的Tick-Tock战略差不多，要知道14到10nm期间Intel的工艺拖延了4年，拖累了整体表现。

在7nm之后，Intel将会进入5nm节点，司睿博表示Intel的5nm工艺进度良好，但同样没有提及具体信息，这是Intel首次在场合提及5nm工艺。

结合2-2.5年升级的周期，Intel的5nm应该是在2023年问世，如果不延期的话。

总之，在半导体制程工艺上，Intel的态度就是“我们将继续保持制程优势。”