MT41J128M16HA-15EIT:D星载存储芯片爆款

MT41J128M16HA-15EIT:D星载存储芯片爆款主图

MT41J128M16HA-15EIT:D星载存储芯片爆款参数

制造商IC编号MT41J128M16HA-15EIT:D

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT41J128M16HA-15EIT:D星载存储芯片爆款相关信息

镁光(Micron)身为世界第二大内存颗粒制造商。产品在国内极少现身。这是因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌。其极品颗粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌机OEM市场。在IBM.COMPAQ.HP.Dell等国际品牌都可以看到其内存颗粒的产品。可知其稳定性及超频性好。

在美光、三星先后搞定1Znm工艺的16Gb DDR4 DRAM内存芯片后，SK海力士也终于跟上队伍了。

16Gb DDR4-3200内存芯片是当前行业内存储密度最高、速度最快的DRAM产品，预计明年开始大规模出货。

能效指标方面，SK海力士称1Znm相较于1Ynm，生产效率提升了27%；功耗与1Y nm 8Gb DRAM相比，下降了40%。

SK海力士透露，他们在1Znm世代导入了新研发的电容，还引入新设计，以提高稳定性。

按规划，1Z nm很快将应用于LPDDR5、HBM3等芯片上，成为更优质产品的代名词。

在内存工艺进入20nm之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1X、1Y、1Z，大体来说1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。

1978年，美光科技有限公司成立；美光的业务分布全球，在全球拥有两万六千名正式雇员，其中亚洲有一万名。在中国，美光科技公司在上海设立了市场营销办事处和集成电路设计中心；在北京、深圳设立了市场营销办事处，致力于为上海、北京、深圳、福建和其他省市的客户提供高水平的服务。1998年到2002年，Sun微系统公司曾经购买了价值20亿美元的DRAM内存芯片。2005年9月，美光公司经过对国内10余个城市的进行综合考察后，最后决定选址西安，建造美光在中国的半导体工厂，该项目包括芯片模块组装和芯片封装测试两个部分，总投资达2.5亿美元，出口额可达5亿美元以上，创造就业岗位2000余个。2007年3月21日，美光在西安高新区落成，该厂是外商独资企业，是目前陕西省最大的外商投资企业之一。该厂将主要进行美光科技半导体产品的测试和封装。