K9LAG08UOA-PCBO存储芯片经销商

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K9LAG08UOA-PCBO存储芯片经销商参数

制造商IC编号K9LAG08UOA-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码2GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9LAG08UOA-PCBO存储芯片经销商相关信息

最新消息，今天在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每月12万片晶圆。投产的8Gb DDR4已经通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

花钱买来的技术在如今的全球半导体产业，三星，SK海力士，美光牢牢把持着内存市场，这三家的专利对后来者形成了一种巨大的壁垒，然而长鑫是如何突破重围的呢？这就要提一家已经破产了的公司——奇梦达。这家公司还活着的时候，是能够与三巨头分庭抗礼的存在，当年全球 DRAM 技术架构分为两大阵营，一种是沟槽式技术（Trench），以奇梦达为代表，另一种是堆叠式技术（Stacking），包括三星、SK 海力士、美光等都是代表。

奇梦达在沟槽式技术（Trench）遇到技术瓶颈之后，立刻转向堆叠式技术 Buried Wordline （埋入式闸极字元线连结），并且成功的以65 nm 工艺试产，生产 1Gb 的 DDR2 产品，更重要的是，46 nm 产品已在实验室进行研发完成，其 46 nm 的 Buried Wordline 技术与上一代 58 nm 技术相较，晶圆数量增加达到 1 倍，当时业界认为奇梦达虽然刚从沟槽式，成功转至堆叠式，但 BuriedWordline 技术非常具有竞争力。

可惜的是，奇梦达没有熬到智能机爆发就已经撑不下去了，没有钱投入全新的 Buried Wordline 技术，公司后来宣布破产收场，成为 DRAM 产业史上徒留遗憾的一页。奇梦达倒下后，几经辗转，长鑫将奇梦达一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，成功规避美光、三星、SK 海力士的技术专利问题，而且是花钱就可以买到的技术，这也是长鑫最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，耗资超过25亿美元，展开世界速度的快速迭代，并且行事低调的长鑫已经拥有16000项专利。