K9K8G08UOD-SIBODDR内存

K9K8G08UOD-SIBODDR内存主图

K9K8G08UOD-SIBODDR内存参数

制造商IC编号K9K8G08UOD-SIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9K8G08UOD-SIBODDR内存相关信息

东芯半导体致力于大力发展具有自主知识产权的国内存储芯片技术并积极开拓国内市场应用，迅速提升中国在 Memory 行业的设计研发能力。对此，东芯采取了一系列的业务发展战略。

东芯采取的产品战略是，避开和大公司广谱产品进行全线竞争，聚焦中小容量闪存市场的开拓，充分发挥公司的技术优势和研发能力，提升产品性价比，抓住存储器国产替代进口的市场机会，快速成长为闪存尤其是 NAND 闪存领域的。

从市场来看，东芯深入研究用户需求，加大差异化定制产品的比重，增强客户粘性，逐步成为各主要应用市场主导公司的核心品牌供应商。

研发上，东芯坚持自主研发保持公司在国内小容量 NAND, NOR, DRAM 领域的领先优势，在不断提升和完善 38nm&24nm NAND ，48nm NOR 闪存产品品质的前提下，积极开展 1xnm NAND 闪存的产品开发，达到国际最先进生产水平，目前已取得 105 项专利。

生产方面，和晶圆代工、封装测试建立稳定而深入的战略合作关系，实现互利共赢。

资本方面，充分利用资本市场实现跨越式发展，为长期可持续发展奠定基础。

在谈到东芯未来的 3-5 年规划时，陈磊谈到，公司首先还是要做好产品的品质，这个是我们的立足根本。在 NOR FLASH 领域，产品发展已经做的很完善了。我们目前着眼于 NAND FLASH，包括大容量的 NAND FLASH 的产品布局，还有就是我们的 DRAM 产品，我们希望可以在后两者上多下苦功，给我们的客户带来更多 EPN，更有性价比的产品，帮助我们的客户实现更多的设计功能。