K9F1G08U0E-SCB0存储卡芯片

K9F1G08U0E-SCB0存储卡芯片主图

K9F1G08U0E-SCB0存储卡芯片参数

制造商IC编号K9F1G08U0E-SCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码128MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買ICROUTER网络/路由器製造商

K9F1G08U0E-SCB0存储卡芯片相关信息

RS组件公司正在发布一个易于使用且价格低廉的开发工具包，使工程师能够估计赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor）的高性能Excelon Ultra QSPI F-RAM内存技术。

对于在恶劣环境中运行的工业系统，在循环耐久性和数据保留方面，对耐用的内存性能有许多苛刻的要求。赛普拉斯的F-RAM存储器技术结合了非易失性数据存储，快速的写入速度和100万亿个周期的写入耐久力，使系统能够在断电时立即捕获，记录和保留传感器数据和系统状态信息。

赛普拉斯的Excelon F-RAM技术适用于各种工业应用，包括工业自动化、数据记录、电机控制、可编程逻辑控制器、销售点、测试和测量以及智能仪表。CY15FRAMKIT-002开发包的主板集成了一个4-Mbit（512Kx8）的Excelon超四端口SPI F-RAM。该电路板的工作电压范围从1.8V到3.6V，支持高效的低引脚数、高速接口。

该主板具有用于SPI和QSPI模式操作的Morpho报头，这也允许使用ST nuclear-L433RC-P微控制器评估板进行评估。此外，该板可与任何Arduino UNO R3兼容板一起使用，以进行SPI模式操作。该电路板的其他功能还包括可以在–40C至+85C工业级范围内工作；同时带写了保护引脚的硬件保护；软件块保护以及嵌入式ECC（错误纠正代码）。