K9F5608U0C-PIB0 内存ddr4报价

K9F5608U0C-PIB0 内存ddr4报价主图

K9F5608U0C-PIB0 内存ddr4报价参数

制造商IC编号K9F5608U0C-PIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码32MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9F5608U0C-PIB0 内存ddr4报价相关信息

SLC NAND 包括 SPI NAND 目前国内主要应用在通讯类（GPON, EPON），还有一些视频监控产品也需要低容量的 NAND FLASH。

DRAM 产品的市场和 NOR，NAND 的市场非常接近，所以，从产品布局上来看，东芯半导体非常有优势，我们可以在终端客户面前做到“一站式”的存储器供应商的领先优势。

业内预计，中小容量存储芯片市场规模将保持在 120 亿 -200 亿美元，其中低容量 NAND 60 亿 -100 亿美元，NOR 约 30 亿，低容量 DRAM 约 70 亿美元。东芯在这 3 个领域的布局明显是看中了其广阔的市场前景。

尽管国内的内存芯片厂商取得了一些成绩，但我们需要清醒地认识到，在核心技术、市场份额、人才储备等方面，差距仍然很大。近年来，很多国外厂商以知识产权等方式压制国内厂商，这更要求企业拥有自己的核心技术。

陈磊讲到，整体上来看，我们国内的存储器公司和国外的差距还是非常大的。当然，我们国内的存储企业在近几年也都在努力的奋起直追，从产品来看，我们已经在消费市场完成了“国产替代”，在包括智能电视，机顶盒等领域，现在都是国内存储器的天下，甚至在一些工业，汽车方面，我们也都在积极的进入。

总体来看，国内存储芯片市场需求巨大，但目前严重依赖于进口；存储是信息安全的基础，国产替代需求空间大；国家产业政策支持下，本土企业面临重大发展机遇；存储行业更新迭代快，对设计能力和制造工艺提出了极高的要求，属于技术、人才、资金高度密集型行业，进入门槛相当高，本土参与企业非常稀少；所以发展存储芯片已经成为国家繁荣富强的重中之重。