K9F2G08U0M-PCB0闪存存储阵列

K9F2G08U0M-PCB0闪存存储阵列主图

K9F2G08U0M-PCB0闪存存储阵列参数

制造商IC编号K9F2G08U0M-PCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码256MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9F2G08U0M-PCB0闪存存储阵列相关信息

据近日报道，面对存储器半导体产业市场低迷，三星电子，SK海力士，镁光企图通过新旧世代的产品交替，克服危机。而且也有报道，英特尔就当前以数据为中心进行转型，对内存存储战略单元进行布局与规划，且正在有节奏地展开，渐入佳境。

日本对韩国氟化氢等芯片制造关键化学物质发布“限售令”，韩厂普及国有氟化氢，以三星，LG，海力士带头，减少对日产的依赖，并且SK海力士在中国无锡的工厂已使用中国国产氟化氢，完全脱离日产。

在这之后，传来了SK海力士宣布开发适用第三代 1Z纳米的16GbDDR4 DRAM，并有了新的进展，SK海力士表示，1z nm生产效率比前一代高出27%，且使用过去没有加入的新原料，成功最大化DRAM的静电容量，外界期待，未来1z nm制程将扩大应用在新一代移动DRAM‘LP DDR5’与高速DRAM“HBM3”上。

三星电子于3月完成了1z DRAM的开发，并从9月开始量产，并有表示年底有望引进紫外光微影技术（EUV）。

镁光也在8月宣布量产1z制程的16Gb DDR4 DRAM。镁光认为，提高电脑用DDDR4 DRAM、移动用DRAM（LPDDR4），以及图形用DRAM（GDDR6）技术，对事业有很大的帮助。业内人士分析：存储器企业提高技术是相当正面的消息，不论是对于当前低迷的市场，还是未来的存储的趋势，提高技术都有机会成为扭转市场的契机。

作为全球x86 CPU市场的领先者，英特尔在生态上有明显的主动权，且动作较快。截止2019年9月，英特尔在客户端的SSD上已构建了完整布局。