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emmc闪存芯片交流定时和输出转换率的参考负载
25欧姆的有效参考负载,用于定义设备的相关交流定时参数以及输出转换率测量。
它不是对任何特定系统环境的精确表示,也不是对生产测试仪所呈现的实际负载的描述。
系统设计人员应使用IBIS或其他仿真工具将定时参考负载与系统环境关联起来。
制造商与其生产测试条件,通常是一条或多条同轴传输线在测试仪电子端接。
emmc闪存芯片功率到实际IO功率
IDD测量条件(emmc闪存芯片)
在本章中,定义了idd和iddq测量条件,如测试负载和模式。显示了idd和IDDQ测量。
IDD电流(如IDd0、IDd1、IDd2n、IDd2nt、IDd2p0、IDd2p1、IDd2q、IDd3n、IDd3p、IDd4r、IDd4w、IDd5b、IDd6、IDd6et、IDd6tc和IDD7)作为时间平均电流进行测量,并将DDR3 SDRAM的所有VDD球捆绑在一起。任何IDDQ电流不包括在IDD电流。
IDDQ电流(如IDDq2NT和IDDq4R)是在DDR3 SDRAM的所有VDDQ球都被测试绑定的情况下作为时间平均电流测量的一起。IDDQ电流中不包括任何IDD
注意:IDDQ值不能直接用于计算DDR3 SDRAM的IO功率。
它们可用于支持模拟IO的相关性功率到实际IO功率。
在dram模块应用中,由于vdd和vddq不能单独测量iddq正在模块pcb中使用一个合并的电源层。
对于IDD和IDDQ测量,以下定义适用:
“0”和“低”定义为车辆识别号<=VILAC(最大值)。
“1”和“高”定义为车辆识别号>=VIHAC(最小值)。
“浮动”定义为输入为vref=vdd/2。
“用于IDD和IDDQ测量回路模式的定时”
“基本IDD和IDDQ测量条件”
详细的IDD和IDDQ测量回路模式。
IDD测量是在正确初始化DDR3 SDRAM之后完成的。这包括但不限于设置
ron=rzq/7(mr1为34欧姆);
Qoff=0B(在MR1中启用输出缓冲区);
rtt_nom=rzq/6(mr1中为40欧姆);
rtt_wr=rzq/2(120欧姆,mr2);
在MR1中禁用TDQ功能
注意:IDD和IDDQ测量回路模式需要在实际IDD或IDDQ测量开始之前至少执行一次。
定义d={cs,ras,cas,we}:={high,low,low,low}
定义d={cs,ras,cas,we}:={high,high,high,high}
复位稳定时间为:在冷bood复位(初始化)过程中,电源稳定且复位时间低1毫秒后,电流读数有效;
在热启动复位过程中(操作时),复位低200ns+trfc后,当前读数有效
公司介绍:
深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发,技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业,有着多年半导体市场营销及推广经验,振华航空集团创建于2004年,公司总部位于香港,在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。
公司秉承的一贯宗旨:原厂原装,品质保证,视信誉为生命,以客户为中心,并推行30天无条件退货,不设低采购量限制,不用客户承担任何运费。
现已成为亚太地区混合型电子元器件(授权或非授权)分销商,先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。
文化介绍
振华航空的企业文化为“以人为本、诚信、务实、合作,奉献,创新,超越”。
价值观
振华航空以“为员工、客户创造大利益”为核心价值观,求实进取,不断创新,为企业和客户创造价值,为社会创造效益,经过多年不懈努力,形成了我们电子行业的四大优势:
雄厚的技术实力
贴心的客户服务
严格的品质保证
相比的价格优势
K4B1G0846G-BCH9
SAMSUNG/三星
无铅/环保
TRAY
FBGA
128MX8 DDR3