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电脑存储芯片基本功能和操作
对DDR2 SDRAM的读写访问是面向突发的;访问从选定的位置开始。
以编程的顺序继续进行4或8个脉冲长度。访问从注册开始一个活动的命令,然后是一个读或写命令。注册的地址位与激活命令一致,用于选择要访问的银行和行(选择银行;a0-a12选择行)。与读或写同时注册的地址位。
命令用于选择突发访问的起始列位置,并确定发出预充电命令。
在正常操作之前,必须初始化DDR2 SDRAM。以下章节提供了详细信息包括设备初始化、寄存器定义、命令描述和设备操作的信息。
电脑存储芯片通电和初始化需要以下顺序。
1.通电并尝试将CKE保持在0.2*VDDQ和ODT*1以下的低状态(所有其他输入可能未定义。)
-vdd、vddl和vddq由单个功率转换器输出驱动,并且
-VTT大限制为0.95 V,以及
-VREF跟踪VDDQ/2。或
-在VDDL之前或同时应用VDD。
-在VDDQ之前或同时应用VDDL。
-在VTT&VREF之前或同时应用VDDQ。
必须至少满足这两组条件中的一个。
2启动时钟并保持稳定状态。
3.稳定电源和时钟(CK、CK)后,至少200 us,然后应用NOP或取消选择并拍摄CKE高。
4等待至少400ns,然后发出预充电所有命令。在400ns期间应用nop或取消选择期间。
5发出EMRS(2)命令。(要发出EMRS(2)命令,请将“低”提供给BA0,“高”提供给BA1。)*2
6发出EMRS(3)命令。(要发出EMRS(3)命令,请向BA0和BA1提供“高”。*2
7发出emrs以启用dll。(要发出“dll-enable”命令,请将“low”提供给a0,“high”提供给ba0和“低”至BA1。)
8为“dll reset”发出模式寄存器设置命令。
(要发出DLL重置命令,请将“高”提供给A8,将“低”提供给BA0-1。)
9发出预充电所有命令。
10发出2个或更多自动刷新命令。
11发出低至A8的模式寄存器设置命令,以初始化设备操作。(即程序运行参数而不重置dll。)
12步骤8后至少200个时钟,执行OCD校准(片外驱动器阻抗调整)。
如果不使用OCD校准,EMRS OCD默认命令(A9=A8=A7=1),后跟EMRS OCD校准模式退出命令(A9=A8=A7=0)必须与以下其他操作参数一起发出电子病历。
13.DDR2 SDRAM现在可以正常运行。
1)为保证ODT关闭,VREF必须有效,并且必须对ODT引脚应用低电平。
2)序列5和6可在8和9之间执行。
电脑存储芯片价格参考图
公司介绍:
深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发,技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业,有着多年半导体市场营销及推广经验,振华航空集团创建于2004年,公司总部位于香港,在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。
公司秉承的一贯宗旨:原厂原装,品质保证,视信誉为生命,以客户为中心,并推行30天无条件退货,不设低采购量限制,不用客户承担任何运费。
现已成为亚太地区混合型电子元器件(授权或非授权)分销商,先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。
文化介绍
振华航空的企业文化为“以人为本、诚信、务实、合作,奉献,创新,超越”。
价值观
振华航空以“为员工、客户创造大利益”为核心价值观,求实进取,不断创新,为企业和客户创造价值,为社会创造效益,经过多年不懈努力,形成了我们电子行业的四大优势:
雄厚的技术实力
贴心的客户服务
严格的品质保证
相比的价格优势
HHYNIX
FBGA
1.8V
DDR2 SDRAM
32MX16 DDR2