三星内存条1rx8 K4T1G164QF-BCE7 现货热卖中

    三星内存条1rx8一般信息

    制造商IC编号三星内存条1rx8

    厂牌SAMSUNG/三星

    IC 类别DDR2 SDRAM

    IC代码64MX16 DDR2

    三星内存条1rx8参考图：

    主要特点

    JEDEC标准VDD=1.8V±0.1V电源

    VDDQ=1.8V±0.1V

    333MHz fck（667MB/sec/针），400 MHz fck（800MB/sec/针）

    8家银行

    发布的CA

    可编程CAS延迟：3、4、5、6

    可编程添加剂延迟：0、1、2、3、4、5

    写入延迟（wl）=read latency（rl）-1

    脉冲长度：4、8（交错/半字节顺序）

    可编程顺序/交织突发模式

    双向差分数据选通（单端数据选通是一个

    可选功能）

    片外驱动器（OCD）阻抗调整

    模具终止时

    特殊功能支持

    -50欧姆ODT

    -高温自刷新率启用

    低于TCASE 85°C时平均刷新周期为7.8us，低于TCASE 85°C时为3.9us

    85°C<tcase<95°C

    所有产品均无铅、无卤素，符合RoHS标准

    注：

    1.本数据表是完整DDR2规范的摘要，不包括“DDR2 SDRAM设备操作和定时图”中描述的常见功能。

    2。=.本数据表中描述的功能和定时规范适用于启用动态链接库的操作模式。

    三星内存条1rx8特征描述

    1GB DDR2 SDRAM组织为32Mbit x 4 I/OS x 8磁盘，16Mbitx 8 I/OS x 8银行或8Mbit x 16 I/OS x 8银行设备。这个同步的设备实现高达800MB的高速双数据传输速率/sec/pin（DDR2-800）用于一般应用。

    芯片设计符合以下主要DDR2 SDRAM功能例如，带有附加延迟的已发布CA，写入延迟=读取延迟-1、片外驱动器（OCD）阻抗调整和芯片端接。

    所有的控制和地址输入与一对外部同步提供差分时钟。输入锁定在差分的交叉点时钟（CK上升和CK下降）。所有I/O都与以源同步方式对双向选通（DQ和DQ）。

    地址总线用于传递行、列和银行地址。

    以ras/cas多路复用方式提供的信息。例如，1GB（x8）设备接收14/10/3地址。

    1GB DDR2设备使用单个1.8V±0.1V电源工作。

    和1.8V±0.1V VDDQ。

    1GB DDR2设备提供60ball FBGA（x4/x8）和84ballFBGA（x16）。

    公司介绍：

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发，技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业，有着多年半导体市场营销及推广经验，振华航空集团创建于2004年，公司总部位于香港，在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨：原厂原装，品质保证，视信誉为生命，以客户为中心，并推行30天无条件退货,不设采购量限制，不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件（授权或非授权）分销商，先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。

    文化介绍

    振华航空的企业文化为“以人为本、诚信、务实、合作，奉献，创新，超越”。

    价值观

    振华航空以“为员工、客户创造最大利益”为核心价值观，求实进取，不断创新，为企业和客户创造价值，为社会创造效益，经过多年不懈努力，形成了我们电子行业的四大优势：雄厚的技术实力，贴心的客户服务，严格的品质保证，相比的价格优势。