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镁光内存芯片功能描述
PDF:09005AEF826AAADC2gb-ddr3-sdram.pdf-版本S 02/16 EN 12 Micron Technology,Inc.保留更改产品或规格的权利,恕不另行通知。
2006 Micron Technology,Inc.保留所有权利。
完整的功能可以在整个文档中描述;任何页面或图表可能已简化以传达主题,可能不包括所有要求。
任何具体要求优先于一般声明。
未明确说明的任何功能被视为未定义、非法和不受支持,可能导致未知操作。
行寻址表示为[N:0]。例如,1gb:n=12(x16);1gb:n=13(x4,x8);2Gb:n=13(x16)和2Gb:n=14(x4,x8);4Gb:n=14(x16);和4Gb:n=15(x4,X8)。
动态ODT有一个特殊的用例:当DDR3设备设计为在单列存储阵列,ODT球可以有线高,而不是路由。参考到动态ODT特殊用例部分。
x16设备的DQ总线由两个字节组成。如果只有一个字节需要使用时,使用较低的字节进行数据传输,并按说明终止较高的字节:
-通过1KΩ*电阻将UDQ接地。
-通过1KΩ*电阻将UDQ连接至VDD。
-通过1KΩ*电阻将UDM连接至VDD。
-通过1KΩ电阻*或浮动将DQ[15:8]分别连接到VSS、VDD或VREF。
DQ[15:8]。
*如果使用ODT,1KΩ电阻应改为所选ODT的4倍。
镁光内存芯片功能框图
DDR3SDRAM是一种高速、CMOS动态随机存取存储器。它是内部的配置为8排DRAM。
512 meg x 4功能框图
镁光内存芯片一般注释
本数据表中讨论的功能和定时规范适用于DLL启用操作模式(正常操作)。
在本数据表中,各种数字和文本均将DQ称为“DQ”。
DQ将除非另有明确说明,否则解释为任何和所有DQ。
本数据表中的术语“dqs”和“ck”应解释为Dqs、Dqs和CK、CK_,除非另有特别说明。
2GB:x4、x8、x16 DDR3 SDRAM
公司介绍:
深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发,技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业,有着多年半导体市场营销及推广经验,振华航空集团创建于2004年,公司总部位于香港,在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。
公司秉承的一贯宗旨:原厂原装,品质保证,视信誉为生命,以客户为中心,并推行30天无条件退货,不设采购量限制,不用客户承担任何运费。
现已成为亚太地区混合型电子元器件(授权或非授权)分销商,先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。
本公司主营的产品有ALTERA、XILINX、ADI、SAMSUNG、ATMEL、NXP、TI、MAXIM、LINEAR、AOS、AVX、PANASONIC、ROHM、TOSHIBA、FAIRICHILD、ST、ON等。
为你寻找军品级、工业级、偏冷门、已停产的各种系列IC器件.所经营产品行销全国及世界各地。合理价格和热情的服务、帮助客户降低成本友好合作互惠互利是我们的宗旨。
镁光
MT41J128M16JT-107:K
集成电路(IC)
托盘
933兆赫
96-TFBGA