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镁光闪存芯片电气规范–IDD规范和条件
在以下IDD测量表中,定义和条件如下
除非另有说明,否则使用:
低:VIN≤VIL(AC)最大值;高:VIN≥VIH(AC)最小值。
中层:输入为VREF=VDD/2。
RON设置为RZQ/7(34Ω
RTT,NOM设置为RZQ/6(40Ω
RTT(WR)设置为RZQ/2(120Ω)
在MR1中启用QOFF。
在MR1(RTT,NOM)和MR2(RTT(WR))中启用ODT。
在MR1中禁用TDQ。
外部dq/dqs/dm负载电阻为25Ω至vddq/2。
爆破长度为BL8固定长度。
al等于0(IDD7除外)。
在设备正确初始化后测试IDD规格。
输入转换率由交流参数测试条件规定。
可选ASR被禁用。
读突发类型使用半字节顺序(mr0[3]=0)。
在电流测量开始之前,必须至少执行一次回路模式。
镁光闪存芯片功能框图
DDR3SDRAM是一种高速、CMOS动态随机存取存储器。它是内部的配置为8排DRAM。
512megx4功能框图
镁光闪存芯片模具终止时:
ODT启用(注册高)和禁用(注册低)DDR3 SDRAM内部的终端电阻。
在正常情况下启用时操作,ODT仅适用于以下每个球:
DQ[7:0]、DQ、DQ,对于x8,dm;对于dq[3:0]、dqs、dqs,以及对于x4,dm。ODT输入为如果通过加载模式命令禁用,则忽略。ODT引用了VREFCA。
公司介绍:
深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发,技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业,有着多年半导体市场营销及推广经验,振华航空集团创建于2004年,公司总部位于香港,在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。
公司秉承的一贯宗旨:原厂原装,品质保证,视信誉为生命,以客户为中心,并推行30天无条件退货,不设采购量限制,不用客户承担任何运费。
现已成为亚太地区混合型电子元器件(授权或非授权)分销商,先后被国内研究所和国企评为“中国军工行业优质供应商”。
文化介绍
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本公司主营的产品有ALTERA、XILINX、ADI、SAMSUNG、ATMEL、NXP、TI、MAXIM、LINEAR、AOS、AVX、PANASONIC、ROHM、TOSHIBA、FAIRICHILD、ST、ON等。为你寻找军品级、工业级、偏冷门。
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