场效应MOS管 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY/威士原装现货

规格(TJ = 25，除非另有说明)

参数符号测试条件最小值。典型值。MAX。单位

静态

漏源击穿电压VDS·VGS = 0V，内径= - 250安- 30 V

VDS温度系数VDS/TJ ID = - 250 A

- 19岁

毫伏/立方厘米

VGS(th)温度系数VGS(th)/TJ 4

栅源阈值电压VGS(th) VDS = VGS，内径= - 250安- 1.2 - 2.5伏

栅源漏IGSS VDS = 0伏，VGS = 20伏100纳

零栅极电压漏极电流

VDS = - 30伏，VGS = 0伏- 1

VDS = - 30 V，VGS = 0 V，TJ = 55 C - 5

导通状态漏极电流ID(on) VDS - 5 V，VGS = - 10 V - 25 A

漏源导通电阻

VGS-10V，内径= - 5.4 A 0.024 0.029

vgs-6v，ID = - 5 A 0.028 0.034 

VGS-4.5伏，内径= - 4.6安0.033±0.040

正向跨导VDS = - 15伏，内径= - 5.4安18秒

Dynamicb

输入电容Cis

VDS = - 15伏，VGS = 0伏，频率= 1兆赫

1295

输出电容Coss 150 pF

反向传输电容Crss 130

总栅极电荷Qg

VDS = - 15伏，VGS = - 10伏，内径= - 5.4安24 36

（美国）北卡罗来纳州

VDS = - 15伏，VGS = - 4.5伏，内径= - 5.4安

11.4 17

栅极-源极电荷Qgs 3.4

栅极-漏极电荷Qgd 3.8

栅极电阻Rg f = 1 MHz 1.5 7.7 15.4 

开启延迟时间td(开启)

VDD = - 15 V，RL = 3.5 

内径 - 4.3 A，VGEN = - 10 V，Rg = 1 

13 20

ns

上升时间tr 4 8

关闭延迟时间td(关闭)38 57

下降时间tf 6 12

开启延迟时间td(开启)

VDD = - 15 V，RL = 3.5 

内径 - 4.3 A，VGEN = - 4.5 V，Rg = 1 

28 42

上升时间tr 16 24

关闭延迟时间td(关闭)30 45

下降时间tf 10 20

漏源体二极管特性

连续源漏二极管电流为TC = 25 C - 2.1

A

脉冲二极管正向电流(t = 100秒)ISM - 80

体二极管电压VSD IS = - 4.3 A，VGS 0V-0.8-1.2V

体二极管反向恢复时间trr

中频= - 4.3安，dI/dt = 100安/秒，TJ = 25

15±23 ns

体二极管反向恢复电荷Qrr 7 14 nC

反向恢复下降时间ta 8 ns反向恢复上升时间tb 7