STF11NM50N品牌TI封装TO-220F场效应管

STF11NM50N  STF11NM50N  STF11NM50N

制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:500 VId-连续漏极电流:8.5 ARds On-漏源导通电阻:470 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:25 VQg-栅极电荷:19 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:25 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:MDmesh封装:Tube系列:STF11NM50N 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:10 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:33 ns 典型接通延迟时间:8 ns 单位重量:330 mg