STH12N120K5-2品牌ST封装TO263晶体管

STH12N120K5-2  STH12N120K5-2  STH12N120K5-2

制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:H2PAK-2通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:1.2 kVId-连续漏极电流:12 ARds On-漏源导通电阻:620 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:30 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极电荷:44.2 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:250 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:STH12N120K5-2 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:18.5 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:11 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:68.5 ns 典型接通延迟时间:23 ns 单位重量:4 g