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CSD17313Q2 CSD17313Q2 CSD17313Q2
制造商:Texas Instruments产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:WSON-6通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:5 ARds On-漏源导通电阻:30 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:8 VVgs th-栅源极阈值电压:900 mVQg-栅极电荷:2.1 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:17 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:NexFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.75 mm 长度:2 mm 系列:CSD17313Q2 晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET 宽度:2 mm 商标:Texas Instruments 开发套件:TMDSCSK388, TMDSCSK8127 下降时间:1.3 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:3.9 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:4.2 ns 典型接通延迟时间:2.8 ns 单位重量:8.700 mg
Texas Instruments
MOSFET
WSON-6
TMDSCSK388, TMDSCSK8127
3000