STD2LN60K3品牌ST封装TO-252场效应管

STD2LN60K3  STD2LN60K3  STD2LN60K3

制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:2 ARds On-漏源导通电阻:4.5 OhmsVgs - 栅极-源极电压:30 VVgs th-栅源极阈值电压:4.5 VQg-栅极电荷:12 nCPd-功率耗散:45 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:SuperMESH封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:STD2LN60K3 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:21 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:8.5 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:23.5 ns 典型接通延迟时间:10 ns 单位重量:4 g