STGB3NC120HDT4品牌ST封装D2PAK晶体管

STGB3NC120HDT4  STGB3NC120HDT4  STGB3NC120HDT4  

制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 详细信息 技术:Si封装 / 箱体:D2PAK安装风格:SMD/SMT集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.3 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:14 APd-功率耗散:75 W系列:STGB3NC120HD封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:STMicroelectronics 栅极—射极漏泄电流:100 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:1000 子类别:IGBTs 单位重量:2 g