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STW56N65M2 STW56N65M2 STW56N65M2
制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:49 ARds On-漏源导通电阻:49 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:25 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:93 nC最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:358 W配置:Single通道模式:Enhancement商标名:MDmesh封装:Tube系列:STW56N65M2 晶体管类型:1 N-Channel 商标:STMicroelectronics 下降时间:13 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:27.5 ns 工厂包装数量:600 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:146 ns 典型接通延迟时间:19 ns 单位重量:38 g
STMicroelectronics
MOSFET
Through Hole
TO-247-3
600(可拆)