STGWA15H120DF2品牌ST封装TO-247-3晶体管

STGWA15H120DF2  STGWA15H120DF2  STGWA15H120DF2

制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管技术:Si安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.5 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:30 APd-功率耗散:259 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 C系列:STGWA15H120DF2商标:STMicroelectronics 集电极连续电流:15 A 栅极—射极漏泄电流:+/- 250 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:600 子类别:IGBTs