UMG9NTR 半导体分立器件

UMG9NTR 介绍:

描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

制造商标准提前期 10 周

详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5

类别 半导体分立器件

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V

电阻器 - 基底（R1） 10 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2） 10 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值） 500nA

频率 - 跃迁 250MHz

功率 - 最大值 150mW

安装类型 表面贴装

封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

供应商器件封装 UMT5

基本零件编号 *MG9

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