IRFR9014TRPBF 晶体管 - FET

IRFR9014TRPBF  介绍:

描述 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

制造商标准提前期 18 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 500 毫欧 @ 3.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），25W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-Pak

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。