晶体管 IRFP340PBF MOSFET - 单

IRFP340PBF介绍:

描述 MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 18 周

详细描述 通孔 N 沟道 400V 11A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 400V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 6.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 62nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247-3

封装/外壳 TO-247-3

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。