晶体管 DRA2143Z0L 预偏置

DRA2143Z0L介绍:

描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 10 周

详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

制造商 Panasonic Electronic Components

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

晶体管类型 PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V

电阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2） 47 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 80 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 500μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值） 500nA

功率 - 最大值 200mW

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 迷你型3-G3-B

基本零件编号 DRA2143

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今日的基极驱动电路不仅驱动功率晶体管，还保护功率晶体管，称之为“非集中保护” (和集中保护对照)。在这样的大功率电路中，存在的主要问题是布线。很高的开关速度能在很短的连接线上产生相当高的干扰电压。