晶体管 TK10P60W FET

地区:广东 深圳
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TK10P60W介绍:

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 DTMOSIV

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 500μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 300V

FET 功能 超级结

功率耗散(最大值) 80W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 430 毫欧 @ 4.9A,10V

工作温度 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 DPAK

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

艾睿(深圳)实业有限公司介绍:


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晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。。晶体管出现后,人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件,来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。



系列

DTMOSIV

类别

晶体管

产品族

-

电压

\t600V