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产品属性
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TK10P60W介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 DTMOSIV
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 500μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 300V
FET 功能 超级结
功率耗散(最大值) 80W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 430 毫欧 @ 4.9A,10V
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
艾睿(深圳)实业有限公司介绍:
艾睿(深圳)实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作,提供最直接的货源、减少产品的流通环节,
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晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。。晶体管出现后,人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件,来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。
DTMOSIV
晶体管
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\t600V