晶体管 HGTG40N60A4 UGBT

HGTG40N60A4介绍:

描述 IGBT 600V 75A 625W TO247

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 IGBT 600V 75A 625W Through Hole TO-247

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 -

电压 - 集射极击穿（最大值） 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 75A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 300A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.7V @ 15V，40A

功率 - 最大值 625W

开关能量 400μJ（开），370μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 350nC

25°C 时 Td（开/关）值 25ns/145ns

测试条件 390V，40A，2.2欧姆，15V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

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晶体管的出现，是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩。晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。