MMBT3904 1AMR 三极管ST CJ NXP SOT-323贴片 TO-92直插

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MMBT3904 1AMR 三极管ST CJ NXP SOT-323贴片 TO-92直插

长电 先科 晶体管 集电极 发射极

电流参数:IC=200mA

电压参数:UCBO=60V/UCEO=40V/UEBO=6V

功   率:PD=300mW

其他参数:fT=300MHz

极   性:NPN

大小:622.36KB

厂家:TD

描述:Dated :

27/05/2012 Rev: 02 TOP DYNAMIC MMBT3904 NPN Silicon General Purpose Transistor

for switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O

C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 60 V Collector

Emitter Voltage V CEO 40 V Emitter Base Voltage V EBO 6 V Collector Current I C

200 mA Power Dissipation P tot 350 mW Junction Temperature T j 150 O C Storage

Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C SOT-23 Plastic Package

标准包装:3,000

类别:分离式半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-晶体管

类型:NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大):-在某 Ic、Vce 时的最小直流

电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V

功率 - 最大:350mW

频率 - 转换:300MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商设备封装:SOT-23

包装:带卷 (TR)

其它名称:MMBT3904FSTR

型号/规格

MMBT3904 1AMR

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装