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产品属性
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MMBT3904 1AMR 三极管ST CJ NXP SOT-323贴片 TO-92直插
长电 先科 晶体管 集电极 发射极
电流参数:IC=200mA
电压参数:UCBO=60V/UCEO=40V/UEBO=6V
功 率:PD=300mW
其他参数:fT=300MHz
极 性:NPN
大小:622.36KB
厂家:TD
描述:Dated :
27/05/2012 Rev: 02 TOP DYNAMIC MMBT3904 NPN Silicon General Purpose Transistor
for switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O
C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 60 V Collector
Emitter Voltage V CEO 40 V Emitter Base Voltage V EBO 6 V Collector Current I C
200 mA Power Dissipation P tot 350 mW Junction Temperature T j 150 O C Storage
Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C SOT-23 Plastic Package
标准包装:3,000
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-晶体管
类型:NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-在某 Ic、Vce 时的最小直流
电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
功率 - 最大:350mW
频率 - 转换:300MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:带卷 (TR)
其它名称:MMBT3904FSTR
MMBT3904 1AMR
ST(意法半导体)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装