NAND S34ML02G100TFI000 存储器

S34ML02G100TFI000介绍；

描述 IC FLASH 2GBIT 25NS 48TSOP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

详细描述 FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 48-TSOP I

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 ML-1

包装 ? 托盘 ?

零件状态 在售

存储器类型 非易失

存储器格式 闪存

技术 FLASH - NAND

存储容量 2Gb （256M x 8）

写周期时间 - 字，页 25ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）

供应商器件封装 48-TSOP I

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。