晶体管 IXFE73N30Q MOSFET

IXFE73N30Q介绍：

描述 MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 底座安装 N 沟道 300V 66A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 HiPerFET™

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 300V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 66A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 4mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 190nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6400pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 400W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 46 毫欧 @ 36.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 底座安装

供应商器件封装 SOT-227B

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。