晶体管D6N50 FET

D6N50介绍：

类别 分立半导体产品

晶体管- FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 UniFET™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 16.6nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9400pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 89W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 3A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-Pak

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本零件编号 FDD6N50

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。