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产品属性
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零件编号 SI7448DP-T1-E3TR-ND
现有数量 0
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI7448DP-T1-E3
描述 MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 13.4A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.9W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 22A,4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
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