供应SI7448DP-T1分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

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零件编号 SI7448DP-T1-E3TR-ND

现有数量 0

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI7448DP-T1-E3

描述 MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

详细描述 表面贴装 N 沟道 20V 13.4A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK® SO-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 停產

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V

Vgs(最大值) ±12V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 1.9W(Ta)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 6.5 毫欧 @ 22A,4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8

封装/外壳 PowerPAK® SO-8

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系列

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类别

集成电路(IC)

产品族

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电压 - 电源

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