SI4116DY-T1-GE3分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET

零件编号 SI4116DY-T1-GE3TR-ND
现有数量 12,500
可立即发货
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4116DY-T1-GE3
描述 MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 46 周
详细描述表面贴装 N 沟道 25V 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO

类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 56nC @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.6 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

安富利（深圳）商贸有限公司，全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势！所出的物料，绝对原装正品！放心购买！
本公司为一般纳税人，可开17%增值税票！欢迎垂询！

。

赣锋锂业拟设立全资子公司浙江锋锂，以自有资金不超过2.5亿元投资建设第一代固态锂电池研发中试生产线。天齐锂业将投资15亿元在遂宁市安居区化工产业园区新建2万吨碳酸锂工厂

系列

-

类别

集成电路（IC）

产品族

-

电压 - 电源

-

供应SI4116DY-T1-GE3分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

供应SI4116DY-T1-GE3分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单