供应IPD70N10S3-12分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

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零件编号 IPD70N10S312ATMA1TR-ND
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制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPD70N10S312ATMA1
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 39 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3


类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 83μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 65nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4355pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 11.1 毫欧 @ 70A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63


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当时一位刚入不惑之年的中年人,带领着其他10位技术人员,怀揣着20万元的人民币,在北京创办了一家公司。这位中年人时柳传志,他创办的公司就是后来的联想。
系列

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类别

集成电路(IC)

产品族

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电压 - 电源

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