IPD70N10S3-12分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET

零件编号 IPD70N10S312ATMA1TR-ND
现有数量 0
检查提前期
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPD70N10S312ATMA1
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 39 周
详细描述表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3

类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 83μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 65nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4355pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 11.1 毫欧 @ 70A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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系列

-

类别

集成电路（IC）

产品族

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电压 - 电源

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供应IPD70N10S3-12分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单

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