制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFB7540PBF
描述 MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 20 周
详细描述 通孔 N 沟道 60V 110A（Tc） 160W（Tc） TO-220
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®，StrongIRFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4555pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 160W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5.1 毫欧 @ 65A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220
封装/外壳 TO-220-3
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Intel也是全球拥有先进芯片生产工艺的企业，不过近几年其在先进工艺研发上进展缓慢，其10nm工艺一再延迟量产，而三星和台积电则稳步推进。虽然Intel指出它的14nmFinFET工艺相当于三星和台积电的10nm工艺、10nm工艺接近三星和台积电的7nm工艺，但是普遍预计当三星和台积电开始量产6nm、5nm工艺后将彻底取得对Intel的领先优势
