供应原装SI7686DP-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品

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Digi-Key 零件编号 SI7686DP-T1-GE3TR-ND
现有数量 3,000 
可立即发货 
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI7686DP-T1-GE3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1220pF @ 15V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5W(Ta),37.9W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
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就在昨天,三星传来好消息,宣布“三星尖端技术研究所成功研发出全新电池材料,基于石墨烯技术的新电池在容量上比普通电池高45
系列

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类别

集成电路ic

产品族

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电压-电源

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