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BFP196W NPN TRANSISTOR
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
本芯片有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;
主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤模块等产品;
集电极-发射极击穿电压:BVCEO=12V,最大集电极电流:ICM=150mA,耗散功率:PC=700mW,特征频率:fT=9.0GHz;
、振荡器、混频器、检波器,以及高频微波信号发
BFP196W
INFINEON(英飞凌)
SOT-143
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
高频
NPN型