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N沟道场效应管 GMP3205 TO-220 55V中低压MOSFET

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市宇芯电子有限公司

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N沟道场效应管 GMP3205 TO-220 55V中低压MOSFET



N沟道场效应管GMP3205的极限值：



N沟道场效应管GMP3205的特点：



N沟道场效应管GMP3205的极限值：

参数 符号 数值 单位
漏极-源极电压 BVDSS 55 V
栅极-源极电压 VGS ±20

漏极电流-连续

TC=25℃

ID 110 A

漏极电流-连续

TC=100℃

88
漏极电流-脉冲 IDM 420
总耗散功率 PTOT 200 W
雪崩能量 EAS 506 mJ
热阻 RθJC 0.85 ℃/W
结温/存储温度 TJ,Tstg -55~175 ℃

N沟道场效应管GMP3205的电特性：

型号/规格

GMP3205

品牌/商标

宇芯微

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装