产品详情

低栅电荷密度功率场效应管 GMP75N75L TO-220 75V增强型MOS管

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市宇芯电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

低栅电荷密度功率场效应管 GMP75N75L TO-220 75V增强型MOS管



75V增强型MOS管GMP75N75L的极限值：

参数 符号 数值 单位
漏极-源极电压 BVDSS 75 V
栅极-源极电压 VGS ±25

漏极电流-连续

TC=25℃

ID
 75 A

漏极电流-连续

TC=100℃

56
漏极电流-脉冲 IDM 310
总耗散功率 PTOT 140 W
雪崩能量 EAS 120 mJ
热阻 RθJC 1 ℃/W
结温/存储温度 TJ,Tstg -55~175 ℃


75V增强型MOS管GMP75N75L的特点：



75V增强型MOS管GMP75N75L的电特性：


型号/规格

GMP75N75L

品牌/商标

宇芯微

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装