功率MOSFET GMN6521 SOT-23 高压场效应管 650VN沟道MOS管

地区:广东 东莞
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功率MOSFET GMN6521 SOT-23 高压场效应管 650VN沟道MOS管



高压场效应管GMN6521的极限值:

参数 符号 数值 单位
漏极-源极电压 BVDSS 650 V
栅极-源极电压 VGS ±30
漏极电流-连续 ID 210 mA
漏极电流-脉冲 IDM 2 A
总耗散功率 PD 900 mW
结温 TJ 150
存储温度 Tstg -55~+150


高压场效应管GMN6521的电特性:

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位
漏极-源极击穿电压 BVDSS 650

V
栅极开启电压 VGS(th) 2.5
3.8
静态漏源导通电阻 RDS(ON)
16 19 Ω
输入电容 CISS
120
pF
输出电容 COSS
20

型号/规格

GMN6521

品牌/商标

宇芯微

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装