GMDN306P SOT-23 贴片P沟道MOS管 12V低压场效应管
地区：广东 东莞
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GMDN306P SOT-23 贴片P沟道MOS管 12V低压场效应管
12V低压场效应管GMDN306P的极限值：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | -12 | V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±8 | |
| 漏极电流-连续 | ID | -2.6 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | -10 | |
| 总耗散功率 | PD | 450 | mW |
| 结温 | TJ | 150 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55~+150 |
12V低压场效应管GMDN306P的电特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | BVDSS | -12 |
|
|
V |
| 栅极开启电压 | VGS(th) | -0.4 |
|
-1.5 | |
|
静态漏源导通电阻 ID=-2.6A,VGS=-4.5V |
RDS(ON) |
|
|
40 |
mΩ |
|
静态漏源导通电阻 ID=-2.3A,VGS=-2.5V |
|
|
50 | ||
|
静态漏源导通电阻 ID=-1.8A,VGS=-1.8V |
|
|
80 | ||
| 输入电容 | CISS |
|
1138 |
|
pF |
| 输出电容 | COSS |
|
454 |
|
GMDN306P
宇芯微
SOT-23
无铅环保型
贴片式
单件包装
