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增强型N沟道功率场效应管 FIR50N06FG TO-220F 塑封插件MOSFET

地区：广东 东莞
认证： 无

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增强型N沟道功率场效应管 FIR50N06FG TO-220F 塑封插件MOSFET



塑封插件MOSFET FIR50N06FG的产品应用：




塑封插件MOSFET FIR50N06FG的极限值：



塑封插件MOSFET FIR50N06FG的电特性：

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位
漏极-源极击穿电压
 BVDSS 60 70
V
零栅压漏极电流
 IDSS

1 μA
栅极漏电流 IGSS

±100 nA
栅极开启电压
 VGS(TH) 2
4 V
静态漏源导通电阻
 RDS(ON)
17 20 mΩ
正向跨导 gfs 24

S
输入电容 Ciss
1200
pF
输出电容 Coss
104
反向传输电容 Crss
33
开启延迟时间
 td(on)
25
nS
开启上升时间
 tr
5
关断延迟时间
 td(off)
50
关断下降时间
 tf
6
栅源电荷密度 Qgs
10
nC
栅漏电荷密度 Qgd
5



塑封插件MOSFET FIR50N06FG的封装外形尺寸：


型号/规格

FIR50N06FG

品牌/商标

美国福斯特

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率

VDSS

60V

ID

50A

RDS(ON)

20mΩ(Max)