福斯特场效应管价格 FIR50N03LG TO-252 30V/50AN沟道MOSFET
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福斯特场效应管价格 FIR50N03LG TO-252 30V/50AN沟道MOSFET
福斯特场效应管价格 FIR50N03LG的极限值：
福斯特场效应管价格 FIR50N03LG的电特性：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|
漏极-源极击穿电压 |
BVDSS | VGS=0V,ID=250μA | 30 | 33 |
|
V |
|
零栅压漏极电流 |
IDSS | VDS=30V,VGS=0V |
|
|
1 | μA |
| 栅极漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V |
|
|
±100 | nA |
|
栅极开启电压 |
VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250μA | 1 | 1.6 | 3 | V |
|
静态漏源导通电阻 |
RDS(ON) |
VGS=10V,ID=25A |
|
8 | 11 |
mΩ |
| VGS=5V,ID=20A |
|
10 | 16 | |||
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V,ID=20A | 15 |
|
|
S |
| 输入电容 | Ciss |
VDS=15V,VGS=0V,F=1MHz |
|
2000 |
|
pF |
| 输出电容 | Coss |
|
280 |
|
||
| 反向传输电容 | Crss |
|
160 |
|
||
|
开启延迟时间 |
td(on) |
VDD=15V,ID=20A, VGS=10V,RGEN=1.8Ω |
|
10 |
|
nS |
|
开启上升时间 |
tr |
|
8 |
|
||
|
关断延迟时间 |
td(off) |
|
30 |
|
||
|
关断下降时间 |
tr |
|
5 |
|
||
| 栅源电荷密度 | Qgs |
VDS=10V,ID=25A,VGS=10V |
|
7 |
|
nC |
| 栅漏电荷密度 | Qgd |
|
4.5 |
|
福斯特场效应管价格 FIR50N03LG的封装外形尺寸：
FIR50N03LG
美国福斯特
TO-252
无铅环保型
贴片式
单件包装
中功率
30V
50A
60W
