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大功率晶体管 FIR20N15PG TO-220 N沟道增强型MOSFET

地区：广东 东莞
认证： 无

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大功率晶体管 FIR20N15PG TO-220 N沟道增强型MOSFET



大功率晶体管 FIR20N15PG的极限值：

符号 参数 数值 单位
VDSS 漏极-源极电压
 150 V
VGS 栅极-源极电压
 ±20 V
ID 漏极电流-连续
 20 A
漏极电流-连续 TC=100℃
 14
IDM 漏极电流-脉冲
 40 A
PD 最大功耗 75 W
EAS 单脉冲雪崩能量
 200 mJ
TJ,Tstg 工作结温和存储温度范围 -55~+175 ℃


大功率晶体管 FIR20N15PG的热阻：

符号 参数 数值 单位
RθJC 结到管壳的热阻 2 ℃/W



大功率晶体管 FIR20N15PG的封装外形尺寸：


型号/规格

FIR20N15PG

品牌/商标

美国福斯特

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率

VDSS

150V

ID

20A

RDS(ON)

85mΩ(Max)