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福斯特N沟道功率MOSFET 150V增强型场效应晶体管 FIR150N15ANFG TO-247

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福斯特N沟道功率MOSFET 150V增强型场效应晶体管 FIR150N15ANFG TO-247

150V增强型场效应晶体管 FIR150N15ANFG的极限值：

参数	符号	数值	单位
漏极-源极电压	V_DSS	150	V
栅极-源极电压	V_GS	±20	V
漏极电流-连续	I_D	150	A
漏极电流-连续 T_C=100℃	I_D	106
漏极电流-脉冲	I_DM	600
功耗	P_D	460	W
单脉冲雪崩能量	E_AS	3100	mJ
工作结温和存储温度范围	T_J,T_stg	-55~+175	℃

150V增强型场效应晶体管 FIR150N15ANFG的电特性：

B_VDSS：150V
I_DSS：1μA
I_GSS：±200nA
V_GS(TH)：4V(Max)
R_DS(ON)：8mΩ(Max)
g_fs：150S
C_iss：21000pF
C_oss：1446pF
C_rss：1120pF
t_d(on)：20nS
t_r：110nS
t_d(off)：45nS
t_f：70nS
Q_gs：123nC
Q_gd：184nC

150V增强型场效应晶体管 FIR150N15ANFG的封装外形尺寸：

型号/规格

FIR150N15ANFG

品牌/商标

美国福斯特

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率

VDSS

150V

ID

150A

RDS(ON)

8mΩ(Max)