插件式场效应管 FIR140N098PG TO-220 N沟道MOSFET

插件式场效应管 FIR140N098PG TO-220 N沟道MOSFET

N沟道MOSFET FIR140N098PG的极限值：

• 漏极-源极电压：98V
• 漏极电流-连续：140A
• 单脉冲雪崩能量：689mJ
• 栅极-源极电压：±20V
• 功耗：200W
• 工作结温和存储温度范围：-55~+150℃

N沟道MOSFET FIR140N098PG的热阻：

• 结到管壳的热阻：0.62℃/W
• 结到环境的热阻：62℃/W

N沟道MOSFET FIR140N098PG的电特性：

• 漏极-源极击穿电压：98V
• 栅极开启电压：4V(Max)
• 静态漏源导通电阻：5.2mΩ
• 正向跨导：84.2S
• 输入电容：3900pF
• 输出电容：1100PF
• 反向传输电容：35pF
• 栅源电荷密度：15nC
• 栅漏电荷密度：13nC
• 开启延迟时间：20.1nS
• 开启上升时间：38.9nS
• 关断延迟时间：45.1nS
• 关断下降时间：22.8nS

N沟道MOSFET FIR140N098PG的封装外形尺寸：