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福斯特功率MOSFET 塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D TO-220F

地区：广东 东莞
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福斯特功率MOSFET 塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D TO-220F



塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的极限值：




塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的热阻：

符号 参数 数值 单位
RθJC 结到管壳的热阻 3.28 ℃/W
RθJA 结到环境的热阻 120




塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的电特性：

符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
BVDSS 漏极-源极击穿电压
 ID=250μA,VGS=0 500

V
IDSS
 零栅压漏极电流
 VDS=500V,VGS=0V

1 μA
VDS=400V,Tj=125℃

10
VGS(TH) 栅极开启电压
 ID=250μA,VDS=VGS 2
4 V
RDS(ON) 静态漏源导通电阻
 ID=2.25A,VGS=10V

1.6 Ω
Ciss 输入电容 VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz
800 1000 pF
Coss 输出电容
75 95
Crss 反向传输电容
8.5 11
td(on) 开启延迟时间
 VDD=250V,ID=4.5A RG=25Ω
13 35 ns
tr 开启上升时间
55 120
td(off) 关断延迟时间
25 60
tf 关断下降时间
35 80
Qgs 栅源电荷密度 VDS=400V,VGS=10V,ID=4.5A
3.4
nC
Qgd 栅漏电荷密度
6.4



塑封插件场效应管 FIR5N50FG-D的封装外形尺寸：


型号/规格

FIR5N50FG-D

品牌/商标

美国福斯特

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率

VDSS

500V

ID

5A

RDS(ON)

1.6Ω

PD

38W