杰力增强型MOSFET EMZF14R02W DFN 3X3 双N沟道MOS管
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杰力增强型MOSFET EMZF14R02W DFN 3X3 双N沟道MOS管
双N沟道MOS管 EMZF14R02W的主要参数：
双N沟道MOS管 EMZF14R02W的极限参数：
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | BVDSS | 20 |
V |
| 栅极-源极电压 | VGS | ±12 | |
| 漏极电流-连续 | ID | 9.5 |
A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 40 | |
| 功耗 | PD | 2.1 | W |
| 温度范围 | Tj,Tstg | -55~150 | ℃ |
双N沟道MOS管 EMZF14R02W的电气特性：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
| 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | 20 |
|
|
V |
| 栅极开启电压 | VGS(th) | 0.35 | 0.65 | 1.0 | |
| 栅极漏电流 | IGSS |
|
|
±10 | μA |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) |
|
12.5 | 14 | mΩ |
| 输入电容 | Ciss |
|
987 |
|
pF |
| 输出电容 | Coss |
|
139 |
|
|
| 反向传输电容 | Crss |
|
124 |
|
|
| 栅源电荷密度 | Qgs |
|
1.1 |
|
nC |
| 栅漏电荷密度 | Qgd |
|
4.2 |
|
|
| 开启延迟时间 | td(on) |
|
10 |
|
nS |
| 上升时间 | tr |
|
15 |
|
|
| 关断延迟时间 | td(off) |
|
40 |
|
|
| 下降时间 | tf |
|
18 |
|
双N沟道MOS管 EMZF14R02W的描述：
EMZF14R02W是一个20V/9.5A的N沟道场效应晶体管，具有低导通电阻、低功耗、低噪声和容易制造的特点。
EMZF14R02W
杰力
DFN 3X3
无铅环保型
贴片式
单件包装
中功率
