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EMB55A03G SOP-8 原装杰力双N沟道场效应晶体管 30VMOS管

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市宇芯电子有限公司

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EMB55A03G SOP-8 原装杰力双N沟道场效应晶体管 30VMOS管


30VMOS管 EMB55A03G的结构图：



30VMOS管 EMB55A03G的产品参数：

参数/测试条件
 符号 数值 单位
漏极-源极电压
 BVDSS 30 V
栅极-源极电压
 VGS ±20
漏极电流-连续
 TA=25℃ ID
 4.5 A
TA=70℃
 3.3
漏极电流-脉冲
 IDM 18
雪崩电流
 IAS 4.5
雪崩能量 L=0.1mH,ID=4.5A,RG=25Ω EAS 1 mJ
重复雪崩能量 L=0.05mH EAR 0.5
功耗
 TA=25℃
 PD
 2 W
TA=70℃
 1.3
温度范围
 Tj,Tstg -55~150 ℃
结到管壳的热阻
 RθJC 25 ℃/W
结到环境的热阻
 RθJA 62.5



30VMOS管 EMB55A03G的典型特性图：

型号/规格

EMB55A03G

品牌/商标

杰力

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率